2024年6月24日，2023年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。
今年的奖项分布和获奖特点：
国家最高科学技术奖2人：分别授予武汉大学李德仁院士、清华大学薛其坤院士；
国家自然科学奖49项：一等奖1项，二等奖48项；
国家技术发明奖62项：一等奖8项，二等奖54项；
国家科学技术进步奖139项：特等奖3项，一等奖16项，二等奖120项；
中华人民共和国国际科学技术合作奖：10人。
其中，三安光电全资子公司三安集成与西安电子科技大学、华为、中兴通讯、中国电子科技集团公司第十三研究所等单位共同完成的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目，获得2023年度国家科学技术进步奖一等奖。
该项目解决了高品质氮化镓（GaN）射频功放芯片在5G通信产业化应用方面的技术难题，使得GaN器件在5G移动基站实现规模应用，确保我国基站用GaN器件及工艺处于国际领先地位。三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的的研发和产业化工作，建立了自主工艺技术平台，与高校、通讯龙头企业协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器核心工艺技术，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了5G组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量出货。5G技术对于射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更高的要求，氮化镓作为第三代半导体材料具备相较传统硅基射频器件更好的高频特性，被业界认为是目前5G基站功放的最优解决方案。该项目成果即有效地满足了我国5G基站对高性能氮化镓功放的迫切需求，为我国在新一代移动通信技术领域的国际领先地位奠定了重要基础，并取得了显著的经济和社会效益。据中国信通院白皮书发布信息，截至2023年10月底，国内已部署开通5G基站累计321.5万个，估算2023年5G直接带动经济总产出1.86万亿元，间接带动总产出4.24万亿元。三安集成成立于2014年，持续投入氮化镓、砷化镓射频芯片的制程研发和制造，于厦门和泉州布局了大规模射频芯片产业链，主营业务包括氮化镓射频功放代工、砷化镓射频功放代工、射频封测代工和滤波器产品，应用涵盖民用基站、智能手机、Wi-Fi和物联网等领域，在国内射频芯片制造领域占据重要份额。据了解，三安集成作为全球通信基站厂商的主要供应商之一，根据公司供应的晶圆数量计算，已占到全球约20%份额。值得一提的是，本次获奖已是三安光电第二次荣获国家科学技术进步奖一等奖。2020年1月，三安光电以“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中国科学院等联袂荣获2019年度国家科学技术进步奖一等奖。此外，杭州士兰微电子股份有限公司参与的“功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用”项目荣获国家科技进步二等奖。该项目主要完成单位包括电子科技大学、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润微电子控股有限公司。
该项目突破了功率高压MOS集成耐压瓶颈，通过产学研合作，创建了三类具有国际先进水平的功率半导体制造量产工艺平台，为全球200余家企业提供了芯片制造服务，提升了我国功率高端芯片国际竞争力，推动了中国功率半导体行业进步。士兰微电子成立于1997年，2003年3月在上海证券交易所主板上市，已发展成为国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一。公司专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。
